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スイッチングMOSFET TPCC 8105 L 1 Q 東芝
スイッチングMOSFET TPCC 8105 L 1 Q 東芝
4.8点
（10件）
レビュー一覧 10件 （総件数：10件）
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⚪未使用品 750pec
【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：U-MOSVI・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：23A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.8ミリオーム @ 11.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V @ 500µA・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：76nC @ 10V・Vgs（最大）：+20V、-25V・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：3240pF @ 10V・FET機能：-・電力散逸（最大）：700mW（Ta）、30W（Tc）・動作温度：150°C・取り付けタイプ：面実装・サプライヤデバイスパッケージ：8-TSONアドバンス（3.3x3.3）・パッケージ/ケース：8-PowerVDFN
MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON
倉庫の整理で出てきたIC の在庫品です。
〇当方電子部品に詳しくないので
性能、機能などは 品番 から検索してください。
〇 長期在庫品ですので性能等の保証は出来ません。
袋を開封しての検品はしておりませんので数量や状態 には違いがあるばあいもありますが 添付シールでの表 示によるものと御理解下さい。
〇 在庫売り切りです。
【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：U-MOSVI・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：23A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7.8ミリオーム @ 11.5A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：2V @ 500µA・Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：76nC @ 10V・Vgs（最大）：+20V、-25V・Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）：3240pF @ 10V・FET機能：-・電力散逸（最大）：700mW（Ta）、30W（Tc）・動作温度：150°C・取り付けタイプ：面実装・サプライヤデバイスパッケージ：8-TSONアドバンス（3.3x3.3）・パッケージ/ケース：8-PowerVDFN
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カテゴリー:
スマホ・タブレット・パソコン##PCパーツ##マザーボード
商品の状態:
新品
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送料無料
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らくらくメルカリ便
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未定
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2～5日
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